• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   DSpace@Muğla
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Properties of ZnO layers deposited by ''photo-assisted'' spray pyrolysis

Thumbnail

Göster/Aç

Tam Metin / Full Text (298.0Kb)

Tarih

1996

Yazar

Oktik, Şener
Russell, GJ
Brinkman, AW

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Özet

Layers of ZnO have been deposited onto glass substrates by ''photo-assisted'' spray pyrolysis using zinc chloride and zinc acetate as precursors in aqueous and non-aqueous solutions. The structure of these films has been shown by reflection high energy electron diffraction (RHEED) to be hexagonal, the crystallites exhibiting a pronounced preferred orientation with their (0002) planes lying parallel to the substrate. The transmission properties of layers deposited using an aqueous solution of zinc acetate were found to be superior. In their as-deposited form the films repeatedly exhibited carrier concentration, Hall mobility and resistivity values of similar to (1-2) X 10(17) cm(-3), similar to 0.1-0.2 cm(2) V-1 s(-1) and similar to 150-600 Ohm . cm respectively. However, following annealing at 400 degrees C for 15 min in forming gas (H-2 + N-2), these parameters improved to similar to 5 X 10(19) cm(-3), similar to 29 cm(2) V-1 s(-1) and similar to 1.5 X 10(-2) Ohm . cm respectively. Annealing did not change the transmittance but there was a noticeable improvement in the degree of preferred orientation. The considerable improvement in the electrical properties after annealing can be largely attributed to the increases in carrier concentration and mobility due to the change in stoichiometry and possibly a reduction in inter-granular potential barriers respectively.

Kaynak

Journal of Crystal Growth

Cilt

159

Sayı

1-4

Bağlantı

https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00853-5
https://hdl.handle.net/20.500.12809/5443

Koleksiyonlar

  • Fizik Bölümü Koleksiyonu [189]
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6219]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [6466]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Politika | Rehber | İletişim |

DSpace@Muğla

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Politika || Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi || OAI-PMH ||

Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi, Muğla, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@Muğla:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.